Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P60NF06L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 35 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Spec info: carga de porta baixa, VGS(th) 1...2,5V

C (pol.): 1330pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: totalmente protegido. Id(im): 248A. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (máx.): 62A. Marcação na caixa: P62NS04Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 12.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 33V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 70us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 240A. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P65NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK90ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 3700pF. Custo): 730pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 132 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P75NF75. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.0095 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 66 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMesh. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1138pF. Custo): 122pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20.8A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Zener-Protected. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P7NK80Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1138pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Id(im): 20.8A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 5.2A. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Número de terminais: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Proteção GS: sim

C (pol.): 3850pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P80NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P80NF10. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 116 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 4300pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P80NF12. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 120V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3850pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: controle de motor, amplificador de áudio. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2550pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 392A. DI (T=100°C): 68A. DI (T=25°C): 98A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 80NF70. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 68V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 5500pF. Custo): 1130pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 80A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2350pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 680 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.3A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: PowerMESH™III MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 700V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: sim

C (pol.): 1320pF. Custo): 143pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24.8A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P8NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMesh. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 910pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28.8A. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 910pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28.8A. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK50ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1us. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P9NK60Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1100pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C