Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

STP7NC80ZFP

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STP7NC80ZFP. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMesh. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 1320pF. Custo): 143pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24.8A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P8NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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