STP7NK80Z

STP7NK80Z. C (pol.): 1138pF. Custo): 122pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20.8A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Zener-Protected. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.