Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP7NK80ZFP

STP7NK80ZFP
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STP7NK80ZFP. Tipo de canal: N. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Id(im): 20.8A. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 5.2A. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Número de terminais: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1320pF. Custo): 143pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24.8A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P8NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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