STP9NK50Z

STP9NK50Z. C (pol.): 910pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28.8A. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.