STP9NK60Z

STP9NK60Z. C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1us. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.