Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

STP20NM60FD

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2 - 2 5.83€ 7.17€
3 - 4 5.53€ 6.80€
5 - 9 5.22€ 6.42€
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Conjunto de 1

STP20NM60FD. C (pol.): 1300pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 192W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Baixa capacitância de porta. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.

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