Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP55NE06

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STP55NE06. C (pol.): 3050pF. Custo): 380pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 220A. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NE06. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 70us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 240A. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P65NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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