STQ1NK60ZR-AP

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	0.85€	1.05€
5 - 9	0.80€	0.98€
10 - 24	0.76€	0.93€
25 - 49	0.72€	0.89€
50 - 99	0.70€	0.86€
100 - 249	0.69€	0.85€
250 - 1934	0.59€	0.73€

Quantidade	U.P
1 - 4	0.85€	1.05€
5 - 9	0.80€	0.98€
10 - 24	0.76€	0.93€
25 - 49	0.72€	0.89€
50 - 99	0.70€	0.86€
100 - 249	0.69€	0.85€
250 - 1934	0.59€	0.73€

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Quantidade em estoque : 1934

Conjunto de 1

STQ1NK60ZR-AP. C (pol.): 94pF. Custo): 17.6pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 135 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.2A. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 1NK60ZR. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammopak. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: Capacidade melhorada contra ESD e protegida por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

Documentação técnica