STW28N65M2

STW28N65M2. C (pol.): 1440pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 28N65M2. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.