STW12NK80Z

STW12NK80Z. C (pol.): 2620pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 635 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade ESD aprimorada . Id(im): 42A. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 10.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W12NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener . Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.