Transistores

Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 6B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. Função: 0.2W. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 6D. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: INFI->PANAS. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Material semicondutor: silício. Função: 1.6mm. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 0.47A. Idss (máx.): 0.47A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB10N07. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 900ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB14N04. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 120ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB35N07-E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB49N04. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 600 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 75uA. IDss (min): 30uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 45V. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 1NV04P

Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 125 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. Proteção GS: diodo Zener . Id(im): 14A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 70V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Limitação de Corrente Linear

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: OMNIFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 70V. Dissipação máxima Ptot [W]: 83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): MOSFET. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP35N07. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 100 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Usado para: Ilim= 35A IR= -50A. Tensão Vds(máx.): 70V. Tensão de entrada Vin (máx.): 18V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP5N07-E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 107ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD S3NV04DP. Marcação na caixa: S3NV04DP. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 193 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2940pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 277W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 130A. Potência: 260W. On-resistência Rds On: 0.0055 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 200A. Potência: 260W. On-resistência Rds On: 0.0029 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Corrente máxima de drenagem: 30A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.056 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 70A. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.0086 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Tensão: 60V. Ganho máximo de hFE: 100 (500mA, 2V). Corrente do coletor: 100nA (ICBO). Número de terminais: 8:1. Máx.: 140 MHz. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 2.75W. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SM-8. Tipo de transistor: PNP & PNP. Temperatura operacional: -55°C ~ 150°C. Quantidade por caixa: 2. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Custo): 120pF. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.03V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2000. Função: transistor unijunção UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: transistor complementar (par) ZTX788. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor complementar (par) ZTX550. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS