VNB35N07E

VNB35N07E. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB35N07-E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.