VNS3NV04DPTR-E

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	3.45€	4.24€
5 - 9	3.27€	4.02€
10 - 24	3.10€	3.81€
25 - 49	2.93€	3.60€
50 - 90	2.86€	3.52€

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VNS3NV04DPTR-E. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 107ns. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD S3NV04DP. Marcação na caixa: S3NV04DP. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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