VNP10N07

VNP10N07. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 125 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. Proteção GS: diodo Zener . Id(im): 14A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 70V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Limitação de Corrente Linear. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.