STW5NK100Z

STW5NK100Z. C (pol.): 1154pF. Custo): 106pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 605 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W5NK100Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 2.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51.5 ns. Td(ligado): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.