Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

ZTX649

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10 - 24 2.27€ 2.79€
25 - 49 2.14€ 2.63€
50 - 99 2.09€ 2.57€
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ZTX649. Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 240 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.23V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.

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