ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA. C (pol.): 298pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.5 ns. Td(ligado): 1.9 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 70V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.