BUW11
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.25€ | 2.77€ |
| 5 - 9 | 2.14€ | 2.63€ |
| 10 - 24 | 2.03€ | 2.50€ |
| 25 - 49 | 1.92€ | 2.36€ |
| 50 - 99 | 1.87€ | 2.30€ |
| 100 - 249 | 1.83€ | 2.25€ |
| 250+ | 1.74€ | 2.14€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.25€ | 2.77€ |
| 5 - 9 | 2.14€ | 2.63€ |
| 10 - 24 | 2.03€ | 2.50€ |
| 25 - 49 | 1.92€ | 2.36€ |
| 50 - 99 | 1.87€ | 2.30€ |
| 100 - 249 | 1.83€ | 2.25€ |
| 250+ | 1.74€ | 2.14€ |
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BUW11. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do col...
Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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