BUT12AF
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.55€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.32€ |
| 10 - 18 | 3.33€ | 4.10€ |
| Quantidade | U.P | |
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| 1 - 4 | 3.70€ | 4.55€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.32€ |
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BUT12AF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.
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Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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