Transistores

Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 375V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-SN. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 375V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Corrente do coletor: 8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Ganho máximo de hFE: 7.3. Ganho mínimo de hFE: 4.2. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Material semicondutor: silício. Função: CTV/Monitor. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: CTV-HA (isolado). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Função: CTV/Monitor. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Carcaça: SOT-430. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-430. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: CTV-HA

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 2.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 2.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA SMPS. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220AB. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Material semicondutor: silício. Função: SMPS (F). Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-218. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-199. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU508AF. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 700V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 34W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1500V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 125W. Carcaça: TO-247

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ISOWATT-218. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU508DFI. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 700V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 7 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. Função: TV-SN. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 480V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 330V/200V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 330V/ 200V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor Darlington, Alta tensão e comutação rápida. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220FH

Resistor BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)