Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 13. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 25A. Nota: Tensão de isolamento 2500V. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Função: Comutação de alta tensão e alta velocidade. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 25A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR. Função: TV-HA, hi-res (F)

Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência de silício. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Função: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: (F)

Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1

Custo): 145pF. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Carcaça: SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SOT199 (F)

Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SOT399 (F)

Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re (F). Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 4.8us

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Nota: MONITOR. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 7.4us

Material semicondutor: silício. Função: Transistor de Potência . Corrente do coletor: 12A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Nota: MONITOR 16KHz. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)

Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: MONITOR 16KHz. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Vebo: 7.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Nota: MONITOR. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 2.5us

Função: VHR758 EV. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V/100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 280V/150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: 600V. Corrente do coletor: 10A. Potência: 175W. Frequência máxima: 10MHz. Carcaça: TO-3

Material semicondutor: silício. FT: 6 MHz. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 20. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 200V. Potência: 60W. Frequência máxima: 10MHz

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 175V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W