Transistores

C (pol.): 20pF. Custo): 9pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 680mA. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. On-resistência Rds On: 6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento de nível lógico de transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 20pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SHS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 28pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SRs. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 77pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 27pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.88A. DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. DI (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: sim. Peso: 0.008g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 36ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 27pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: STs. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 76pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 31 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 75pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 25pF. Custo): 15pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(im): 520mA. DI (T=100°C): 75mA. DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 11W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS vertical em modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: serigrafia/código SMD 11W. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 13. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: KNP. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Modo de aprimoramento de par complementar MOSFET. Carcaça: SOT-363 ( SC-88 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-363. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Nota: serigrafia/código SMD KNP. Função: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 48 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 36pF

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: Pd (dissipação de energia, máx.). Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 36pF

C (pol.): 80pF. Custo): 15pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. DI (T=25°C): 0.25A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 100uA. Marcação na caixa: SS88. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: ‘Modo de aprimoramento’. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 240V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.8A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SOT54. Tensão Vds(máx.): 100V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Very fast switching, Logic level compatible. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca muito rápida. Id(im): 0.8A. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: compatível com nível lógico. Proteção GS: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 250mA. Marcação na caixa: B2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 18 ns. Tf(min): 12us. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Spec info: impressão de tela/código SMD B2

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: TO39

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 7A. Potência: 50W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS132. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 38us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45us. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.78W. Família de componentes: low-side MOSFET. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 38us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45us. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.78W. Família de componentes: low-side MOSFET. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-263/5. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 5. Marcação do fabricante: BTS410E2. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 125us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 85us. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C