Transistores

Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 6GHz. Função: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 35mA. Marcação na caixa: R2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000. Spec info: SMD R2. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Amplificador de RF até faixa de GHz para amplificador de antena.. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 700W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor RF Planar . Carcaça: SOT-37 ( TO-50 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-37 ( TO-50 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 2.8GHz. Função: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 25mA. Ic(pulso): 50mA. Marcação na caixa: E2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 450 MHz. Função: Circuito de película espessa e fina IF e VHF . Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 25mA. Ic(pulso): 25mA. Marcação na caixa: G1*. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD G1p, G1t, G1W

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: X1p. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 12V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 35mA. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: UHF-A. Corrente do coletor: 0.2A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BFU590G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 24V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Spec info: transistor complementar (par) BFV421

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.6GHz. Função: VHF-UHF-A. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-72. Habitação (conforme ficha técnica): TO-72. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Vebo: 2.5V

Carcaça: TO-50. Resistor B: NINCS. Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): TO-50. Diodo CE: componente montado em superfície (SMD) . Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3.2GHz. Função: Amplificador RF de banda larga até faixa de GHz.. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.025A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-50-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Spec info: Transistor RF Planar

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF/S. Corrente do coletor: 1A. Nota: b>70. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/HF/S. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/HF/S. Corrente do coletor: 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 860 MHz. Função: UHF-L. Corrente do coletor: 1.25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.07W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 470 MHz. Função: UHF-L. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 7.8W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 860 MHz. Função: UHF-L. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

C (pol.): 85pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 2A. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. Marcação na caixa: BS107. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS107A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: (DS) MOSFETs. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1

C (pol.): 24pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 1.2A. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: BS170. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, Pequenos sinais. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS170G. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS170_D27Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 24pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MX. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 25pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 60pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 3A. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500nA. IDss (min): -0.23A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. On-resistência Rds On: 14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 45V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 30A. Dimensões: 107.5x45x17mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 700W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 250 ns. Td(ligado): 50 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 24. Spec info: 7x IGBT. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Nota: 5ns...20ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. On-resistência Rds On: 15 Ohms. Tecnologia: D-MOS Log.L. Tensão Vds(máx.): 50V