BS250P

BS250P. C (pol.): 60pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 3A. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500nA. IDss (min): -0.23A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. On-resistência Rds On: 14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 45V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 23:25.