Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Material semicondutor: silício. FT: 700 MHz. Função: VHF TV-IF. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 100mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Função: UHF-V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 900 MHz. Função: UHF-M/O. Corrente do coletor: 30mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-50. Habitação (conforme ficha técnica): TO-50. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Frequência máxima: 900 MHz. Carcaça: SOT-37. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: UHF-V. Corrente do coletor: 30mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 3pF. Custo): 1.2pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 18mA. IDss (min): 2mA. Marcação na caixa: M90. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 18V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim

C (pol.): 2.3pF. Custo): 0.8pF. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 4mA. IDss (min): 2mA. Marcação na caixa: MH. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 20V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD MH

C (pol.): 2.1pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 15mA. IDss (min): 5mA. Marcação na caixa: MOS. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 12V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. Custo): 1.1pF. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-143B. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: BF998. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2.5pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: Transistor de banda larga VHF/UHF-A 7GHz. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 150mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Custo): 0.7pF. Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: Para amplificador de antena VHF/UHF e aplicações de comunicação RF. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 200mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 3V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1.3pF. Custo): 0.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: V3%. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código CMS V3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1.3pF. Custo): 0.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: %MW. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código SMD MW. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: VID-L. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BFN37. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

C (pol.): 0.9pF. Custo): 0.28pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 80mA. Marcação na caixa: RCs. Pd (dissipação de energia, máx.): 580mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Vebo: 2V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código SMD RCs. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 0.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BFQ252. Nota: Tc.=115°C

Material semicondutor: silício. Função: UHF-A. Corrente do coletor: 0.15A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Corrente do coletor: 1.25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: R7s. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 210mA. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: M2. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 0.64pF. Custo): 0.23pF. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Transistor de banda larga de 5 GHz (UHF-A). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 0.045A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.28W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1.2pF. Custo): 0.6pF. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Transistor de banda larga de 5 GHz (UHF-A). Ganho máximo de hFE: 135. Ganho mínimo de hFE: 65. Corrente do coletor: 25mA. Marcação na caixa: P2p. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD P2P. Unidade de condicionamento: 3000. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P2. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: GFs. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 45mA. Frequência de corte ft [MHz]: 5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.28W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C