Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BFR92. C (pol.): 0.64pF. Custo): 0.23pF. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Transistor de banda larga de 5 GHz (UHF-A). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 0.045A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.28W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 1.2pF. Custo): 0.6pF. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 5GHz. Função: Transistor de banda larga de 5 GHz (UHF-A). Ganho máximo de hFE: 135. Ganho mínimo de hFE: 65. Corrente do coletor: 25mA. Marcação na caixa: P2p. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 15V. Vebo: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD P2P. Unidade de condicionamento: 3000. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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