BFG67X

BFG67X. C (pol.): 1.3pF. Custo): 0.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: %MW. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143B. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código SMD MW. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.