BFP193E6327

BFP193E6327. C (pol.): 0.9pF. Custo): 0.28pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8GHz. Função: UHF wideband transistor. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 80mA. Marcação na caixa: RCs. Pd (dissipação de energia, máx.): 580mW (total 380mW). RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Vebo: 2V. Número de terminais: 4. Spec info: serigrafia/código SMD RCs. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.