Transistores

Material semicondutor: silício. Função: fonte de alimentação em modo de comutação . Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: NINCS. Td(desligado): 3.5us. Td(ligado): 0.5us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1

Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Custo): 3.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 1100 MHz. Função: TV-IF. Corrente do coletor: 100mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Resistor B: transistor NPN . Resistor BE: RF-POWER. C (pol.): 25V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Função: TV-IF-reVHF. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF240. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Tipo de transistor: Transistor FET. Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 2mA. Corrente máxima de drenagem: TO-92

C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): AM/FM/VHF. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF246A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 39V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 14.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.6V. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.22W

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: para amplificadores RF VHF/UHF. Idss (máx.): 13mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 0.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: para amplificadores RF VHF/UHF. Idss (máx.): 18mA. IDss (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 0.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Material semicondutor: silício. FT: 450 MHz. Corrente do coletor: 25mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1

Custo): 2pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 500mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF421. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor complementar (par) BF423. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 0.05A. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF422

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF450. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Frequência de corte ft [MHz]: 350 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: Estágios HF e IF em receptores de rádio. Ganho máximo de hFE: 90. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 25mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS