Transistores

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD679A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Corrente do coletor: 4A. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 40W. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD682. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD681G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD682G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD809G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD810G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Material semicondutor: silício. FT: 75 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Carcaça: TO-202. Habitação (conforme ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD829. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: NF-L. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD902

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD901

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 15A. Custo): 90W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD912. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Custo): TO-220AB. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD911. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF/L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BD911. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDP949. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDP950. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDT65C. BE diodo: sim. Diodo CE: sim

Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Função: hFE 1000. Spec info: transistor complementar (par) BDT64C. BE diodo: sim. Diodo CE: sim

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 130.42144

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDV64BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 1000. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BDV65B

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Função: hFE 1000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDV65C