Transistores

Corrente do coletor: 4A. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 45V. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD438. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD437. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -45V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126 FULLPACK

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-32. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) BD440. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD440. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126

Marcação do fabricante: BD441G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD441. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: caixa isolada . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: NF-L. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 20. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 1.5V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 1500. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 62.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD649. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD652. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 62.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD677. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD677A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD677AG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD678. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD677A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD679. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD680A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Resistor B: sim. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Corrente do coletor: 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD679. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)