Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD442F

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD442F
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V - BD442F. Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: caixa isolada . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 11:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD442. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complementar (par) BD441
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