Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD441. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 4A. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Corrente do coletor: 4A. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Corrente do coletor: 4A. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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