2SD600K

2SD600K. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB631K. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.