Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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BD678A. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD677A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 16:25.

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Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD679A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD679A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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