Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD680. Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Resistor B: sim. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD679. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [...
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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681
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Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conf...
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Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
BD680-DIV
Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
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