Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A - BD682

Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A - BD682. Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.