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Semicondutores Transistores

BD682

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5 - 9	0.52€	0.64€
10 - 24	0.50€	0.62€
25 - 49	0.47€	0.58€
50 - 99	0.46€	0.57€
100 - 249	0.45€	0.55€
250 - 1343	0.42€	0.52€

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BD682. Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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