Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD680-DIV. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 16:25.

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Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681
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Carcaça: TO-126. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: -4A. Potência: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BD681
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RoHS: sim. Resistor B: sim. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Corrente do coletor: 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD679. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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RoHS: sim. Resistor B: sim. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Corrente do coletor: 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementar (par) BD679. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1
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Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Nota: >750. Quantidade por caixa: 1
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