Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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BD437. Corrente do coletor: 4A. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 45V. Potência: 36W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD438. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-32. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) BD440. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 130. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 7A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-32. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) BD440. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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