Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificadores de áudio e aplicações. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD140. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 1A. Potência: 10W. Carcaça: TO-126 FULLPACK

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Potência: 12.5W. Carcaça: TO-126

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Carcaça: TO-126. Marcação do fabricante: BD140-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -1.5A. Potência: 12.5W. Frequência máxima: 50MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD139-16. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO126. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 375V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD179G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3mA. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.03W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD237. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD237G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Aplicações de áudio, potência linear e comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD237. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD238G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -2A. Potência: 25W. Frequência máxima: 3MHz. Carcaça: TO-126

Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Potência: 30W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD240C