Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD237-CDIL

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD237-CDIL
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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD237-CDIL. Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Produto original do fabricante Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25
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Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25
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