Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD135. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD140. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD140. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificadores de áudio e aplicações. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificadores de áudio e aplicações. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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