Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD135

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Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD135. Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificadores de áudio e aplicações. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V
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