Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BD237

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25 - 49 0.32€ 0.39€
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BD237. RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD237. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Materia...
BD237-CDIL
Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD238. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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