Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD136-16

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BD136-16. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Carcaça: TO-126. Marcação do fabricante: BD140-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrent...
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Carcaça: TO-126. Marcação do fabricante: BD140-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -1.5A. Potência: 12.5W. Frequência máxima: 50MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD139-16. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Carcaça: TO-126. Marcação do fabricante: BD140-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -80V. Corrente do coletor: -1.5A. Potência: 12.5W. Frequência máxima: 50MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BD139-16. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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