Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: >120. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCW69R. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: T1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: U1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Transistor NPN, Aplicações AF e comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: EKs. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX42. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor PNP, para AF e aplicações de comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.8A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: DKs. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX41. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: DKs. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-TR. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Spec info: serigrafia/código SMD AA

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AD. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Marcação na caixa: AH. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD AH

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 63. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD AK. Marcação na caixa: AK. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX56-16

RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: Transistor PNP . Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): SOT-89. Custo): TO-243. Diodo CE: componente montado em superfície (SMD) . Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificadores de áudio. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD AL. Marcação na caixa: AL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX56-16

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AL. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 125 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: bM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: amplificadores de áudio e vídeo. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Marcação na caixa: BH. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD BH

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: amplificadores de áudio e vídeo. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 63. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD BK. Marcação na caixa: BK. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX53-10

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BL. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Nota: serigrafia/código SMD BL. Marcação na caixa: BL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX53-16

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: AK*. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.34W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.75V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Carcaça (padrão JEDEC): TO-206AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCY59-9. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: NF/S. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 18.5W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)