Transistores

Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 145 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP52/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP55-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP53-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AH-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP 5316. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP56-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AH. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP54/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP51-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP 5516. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP52-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP56-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 120 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP56/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP53-16 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP69/25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCP69. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: XGs. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Resistor B: 10k Ohms. Resistor BE: 10k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Transistor com resistor de polarização integrado. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 500mA. Marcação na caixa: XCs. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 1V. Spec info: serigrafia/código CMS XCs. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 4.7k Ohms. Resistor BE: 4.7k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor Digital de Silício PNP. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 500mA. Marcação na caixa: XUs. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: XHs. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor Darlington NPN . Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: EF. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Quantidade por caixa: 1. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Marcação na caixa: 3Ls. Número de terminais: 4. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tipo de transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Função: Transistor duplo de silício PNP . Spec info: serigrafia/código SMD 3Ls . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 250. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: serigrafia /Código SMD C2. Marcação na caixa: C2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Vebo: 5V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: >420. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCW60RC. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W