Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BCP55-16

BCP55-16
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50 - 99 0.16€ 0.20€
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BCP55-16. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP 5516. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP52-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 09:25.

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Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP56/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP53-16 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BCP56-16
Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP56/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP53-16 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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