Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3A

Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3B. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.065V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SC-70. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 125. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3E. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: °C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3E

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSSOP6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: 3Ft. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor PNP duplo

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código CMS 3G . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3L. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 475. Ganho mínimo de hFE: 220. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 3 G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 3G/4C

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 4C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

C (pol.): 10pF. Custo): 4.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Corrente do coletor: 0.1A. Nota: transistor complementar (par) BC850C. Marcação na caixa: 4g. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.25W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 22pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CAC. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD CAC. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 22pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CDC. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD CDC. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: CEC. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 140 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF/S. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSSOP6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: M1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP

Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 145 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP51/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP54-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS