Transistores

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BC640

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) BC640-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC640-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 1A. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 100MHz. Carcaça: TO-92

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 1A. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 50MHz. Carcaça: TO-92

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC640-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

C (pol.): 110pF. Custo): 9pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC639-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC640. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Corrente do coletor: 0.5A. Marcação na caixa: 5B. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Spec info: serigrafia/código SMD 5B

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5B1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Custo): 5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 250. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 5C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 5C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6As. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6As

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6A

Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6B. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 6B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Custo): 10pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 6C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN